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SRM 2841 半導(dǎo)體薄膜:Alx鎵1-xAs外延層(Al摩爾分?jǐn)?shù))x (接近0.20)

簡(jiǎn)要描述:2066 - K-411玻璃微球 標(biāo)準(zhǔn)品 旨在用作顆粒定量微量分析和開(kāi)發(fā)顆粒基質(zhì)校正程序的標(biāo)準(zhǔn)。

  • 英文名稱(chēng):Semiconductor Thin Film: AlxGa1-xAs Epitaxial Layers (Al mole fraction x near 0.20)
  • 產(chǎn)品型號(hào):SRM 2841
  • CAS:
  • 產(chǎn)品規(guī)格:disk
  • 純度:
  • 品牌:美國(guó)NIST
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:492

產(chǎn)品介紹

NIST SRM 2841半導(dǎo)體薄膜:AlxGa1-xAs外延層標(biāo)準(zhǔn)品旨在用作測(cè)量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn),例如電子微探針?lè)治?(EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線(xiàn)光電子能譜(XPS)。 SRM 2841 的一個(gè)單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成,在安裝的砷化鎵 (GaAs) 基板上生長(zhǎng)經(jīng)過(guò)認(rèn)證的 Al 摩爾分?jǐn)?shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤(pán)上。每個(gè)單元都密封在含有氮?dú)鈿夥盏木埘ケ∧ば欧庵?。正確使用 SRM 作為比較標(biāo)準(zhǔn)取決于分析方法(參見(jiàn)“測(cè)量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1])。


儲(chǔ)存和搬運(yùn):

AlGaAs是一種穩(wěn)定的化合物,但薄膜在儲(chǔ)存和搬運(yùn)過(guò)程中會(huì)受到表面污染和氧化。SRM應(yīng)存放在無(wú)塵氮?dú)猸h(huán)境中或溫度低于50°C的真空下。在運(yùn)輸?shù)椒治鱿到y(tǒng)或在分析系統(tǒng)中使用時(shí)偶然接觸空氣,直到接觸時(shí)間超過(guò)數(shù)千小時(shí),才發(fā)現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重污染。SRM應(yīng)由金屬安裝盤(pán)用干凈的非金屬鑷子處理,不接觸半導(dǎo)體區(qū)域。半導(dǎo)體表面的顆粒污染物可以用去離子水或干燥的氮?dú)饬魅コ?,用?hù)必須確認(rèn)沒(méi)有引入額外的污染物。用于將半導(dǎo)體安裝到不銹鋼盤(pán)上的膠帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機(jī)溶劑,使用這些溶劑可能會(huì)導(dǎo)致粘合劑或膠帶顆粒遷移到試樣表面。試樣表面的極端邊緣應(yīng)排除在分析之外。


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